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hamamatsu滨松连续波 (CW) 激光二极管[产品打印页面]

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如果您对该产品感兴趣的话,可以 产品名称: hamamatsu滨松连续波 (CW) 激光二极管
产品型号: L8763-42
产品展商: hamamatsu滨松
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简单介绍

hamamatsu滨松L8763‑42 是808 nm 近红外大功率宽条纹多模连续输出半导体激光二极管(CW‑LD),φ9.0‑CD 金属 TO 封装,属于滨松高功率连续激光器系列,适合固体激光器泵浦源、工业加工、医疗设备、光学检测 OEM 集成使用。

hamamatsu滨松连续波 (CW) 激光二极管

   的详细介绍

hamamatsu滨松连续波 (CW) 激光二极管L8763-42


日本滨松光子学株式会社(简称,滨松公司)成立于1953年,是一个光科学、光产业大型跨国公司。公司产品线涵盖光电倍增管、光电半导体、光源、激光产品、图像传感器、光谱仪、光探测科学和医疗仪器等。其产品广泛应用于医疗生物、高能物理、宇宙探测、精密分析、半导体制造、食品**检测、量子技术、工业自动化等产业领域。截至2025年9月30日,公司净销售额为2120.51亿日元,全球员工约4262人。滨松集团已完成对NKT Photonics的收购,以增强其激光器业务。在中国市场,其全资子公司滨松光子学商贸(中国)有限公司**负责销售与技术支持。


hamamatsu 滨松CW 激光二极管 L8763-42 是日本滨松光子学(Hamamatsu Photonics)推出的高功率连续波(CW)半导体激光二极管,属于 L8763 系列产品。该器件采用横向多模(Broad Stripe)结构,以单芯片实现 1 W 的连续光输出,发光区宽度仅 50 μm,光通量密度极高,易于通过光学系统聚焦至微小光斑。L8763-42 的峰值振荡波长为 808 nm(容差 ±10 nm),属于近红外波段不可见光,广泛用于固体激光器泵浦源、印刷、医疗仪器、测量仪器、材料加工及标记等领域。

hamamatsu滨松连续波 (CW) 激光二极管L8763-42核心特点:

高功率密度:1 W 光输出集中在 50 μm × 1 μm 的极小发光区,光通量密度远高于同功率 100 μm 发光区型号,易于光学聚焦至微小光斑

横向多模(Broad Stripe)结构:单芯片多横模工作,在保持高输出功率的同时实现稳定的光束质量

高稳定性:滨松成熟的芯片工艺和封装技术保证长期光输出稳定性

长寿命:在适当的散热条件下可长期稳定工作

紧凑封装:采用 φ9.0 mm 金属 CD 封装,体积小巧,易于集成到各类设备中

多波长可选:L8763 系列提供 808 nm 以外的其他波长(如 830 nm、940 nm、980 nm),可根据需求联系滨松定制

hamamatsu滨松连续波 (CW) 激光二极管L8763-42典型应用场景:

1. 固体激光器泵浦光源(*主流用途):Nd‑YAG、Nd‑YVO4 晶体泵浦;

2. 医疗美容激光设备光源;

3. 工业激光加工、激光加热;

4. 科研光学实验、光谱检测光源;

5. 红外照明、光学激发光源。



hamamatsu滨松连续波 (CW) 激光二极管L8763-42注意事项:

激光**:L8763-42 发射 808 nm 不可见近红外激光,按照 IEC 60825-1 标准属于 Class 4 激光产品。直接或反射激光束可损伤眼睛和皮肤,*严重时可导致失明。操作时必须佩戴对应波长的防护护目镜,严禁直视发光面

静电防护(ESD):激光二极管对静电放电极为敏感。操作时必须佩戴导电指套和腕带,工作台和地面需铺设通过 1 MΩ 电阻接地的导电垫,所有工具和设备需与器件保持等电位

散热设计:激光二极管的可靠性与结温密切相关。必须在器件底部安装散热器(材质:铝或铜),并配合风冷、水冷或珀尔帖冷却装置,确保壳温维持在 0 ~ +30 ℃ 的工作温度范围内。超过工作温度范围时,光输出功率和寿命将显著下降

***大额定值:切勿在任何时刻超过***大额定值(辐射输出功率 1.2 W、反向电压 2 V),否则将导致器件瞬间损坏或性能劣化

裸芯片型保护:后缀为 -06/-07 的裸芯片型(OHS 封装),其芯片和引线全部裸露,极易受到灰尘、指纹、凝结水、弯曲应力等损害。必须在空调洁净室中拆封、操作和驱动

驱动电路保护:驱动电源需具备过压保护、反向电压保护和浪涌电压保护功能,防止瞬态过冲损坏激光二极管

焊接注意:使用烙铁焊接时,需确保烙铁头无漏电和静电放电,建议接地烙铁并控制焊接温度和时间

波长温漂:半导体激光二极管的峰值波长随温度变化,典型温漂系数约为 0.3 nm/℃。在需要**波长控制的应用中,建议使用珀尔帖温控装置稳定芯片温度

详细参数

峰值发光波长(*小值) 798 nm
峰值发光波长(典型值) 808 nm
峰值发光波长(*大值) 810 nm
辐射通量(典型值) 1 W
工作电流(典型值) 1.2 A
工作电压(典型值) 2 V
半谱宽度(典型值) 2 nm
射束发散角(水平)(典型值) 8 °
射束发散角(垂直)(典型值) 32 °
阈值电流(典型值) 0.35 A
发光区 50 μm × 1 μm
封装 金属 (φ9.0 CD)
工作温度 0°C 至 +30°C
存储温度 -30℃ 至 +80℃

辐射通量-正向电流(代表性例子)

发射光谱(代表性例子)

外形尺寸图(单位:mm)



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