hamamatsu滨松InGaAs APD G8931-20
滨松光子学株式会社（Hamamatsu Photonics K.K.），1953 年成立于日本静冈县滨松市，前身 “滨松电视株式会社”，1983 年正式更名滨松光子；是全球**的光电器件、光子探测、光学测量设备专业厂商。全球员工：6600+；全球 22 处研发 / 生产基地，产品销往 100 + 国家。研发投入占营收约 8.7%，拥有15000 + 型号器件与整机系统。光电倍增管（PMT）全球市占率极高；多款器件助力诺贝尔物理实验（中微子、希格斯玻色子探测）。
hamamatsu滨松G8931-20属于滨松G8931系列InGaAs APD。其半导体材料InGaAs（铟镓砷） 使其对950 nm至1700 nm的近红外波段具有高灵敏度，能够覆盖1550 nm这一光纤通信和激光雷达的重要波段。同时，它内部的雪崩倍增效应能提供远高于普通PIN光电二极管的增益，从而有效探测微弱光信号。
hamamatsu滨松InGaAs APD G8931-20核心特性：
高速响应：具备900 MHz的典型截止频率，能够处理高速光脉冲信号，适用于对时间分辨率要求高的应用。
大感光面积：φ0.2 mm的受光面，在G8931系列中属于“大受光面”型号，利于收集光信号。
低噪声：具备低暗电流（*大200 nA）和低结电容（典型1.5 pF）的特性，有助于降低系统噪声。
高灵敏度：在1550 nm波长处的典型感光灵敏度高达0.9 A/W。
标准封装：采用金属封装，封装类别为TO-18。
hamamatsu滨松InGaAs APD G8931-20典型应用：
1550 nm 激光雷达 (LiDAR)：自动驾驶、机器人导航、无人机避障。
光纤通信：高速光接收模块、光时域反射仪 (OTDR)。
空间光通信：自由空间光链路 (FSO)。
精密测距与微弱光探测：工业检测、科学研究。
使用注意事项：
1. 属于 InGaAs APD，线性模式，严禁工作在盖革击穿区；温度变化击穿电压漂移，高精度系统需要电压温度补偿。
2. 静电敏感器件，装配防静电；窗口禁止手触碰。
3. 光敏面 Φ0.2 mm，光路仍需要聚焦对准；强光脉冲会造成器件不可逆损伤，需要做光功率保护。
4. 和硅 APD S14643‑02 对比：
- S14643‑02：硅材料，400‑1000 nm，2 GHz 带宽，适合 905 nm；
- G8931‑20：InGaAs，950‑1700 nm，900 MHz，专门针对 1550 nm 红外。
5. 暗电流大于硅 APD，高灵敏度测量可考虑制冷降低暗噪声。
> 补充：若需要更低暗电流的 InGaAs APD，参考新型号 G15978‑0020P，暗电流 50 nA 级别。
光谱灵敏度特性
外形尺寸图（单位：mm）