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hamamatsu滨松国内代理硅光电二极管阵列[产品打印页面]

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如果您对该产品感兴趣的话,可以 产品名称: hamamatsu滨松国内代理硅光电二极管阵列
产品型号: S11142-10
产品展商: hamamatsu滨松
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关注指数:4
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简单介绍

hamamatsu滨松S11142-10 是滨松光子学株式会社推出的一款高灵敏度硅光电二极管阵列,专为直接检测低能量(1 keV 或以上)电子束而设计。其核心应用场景是扫描电子显微镜(SEM) 中背散射电子的位置(角度)检测。与前代产品 S11141-10相比,S11142-10 *大的区别在于它是一个4像元的阵列,受光面更大,并具有更高的截止频率。

hamamatsu滨松国内代理硅光电二极管阵列

   的详细介绍

hamamatsu滨松硅光电二极管阵列S11142-10


日本滨松光子学株式会社(简称,滨松公司)成立于1953年,是一个光科学、光产业大型跨国公司。公司产品线涵盖光电倍增管、光电半导体、光源、激光产品、图像传感器、光谱仪、光探测科学和医疗仪器等。其产品广泛应用于医疗生物、高能物理、宇宙探测、精密分析、半导体制造、食品**检测、量子技术、工业自动化等产业领域。截至2025年9月30日,公司净销售额为2120.51亿日元,全球员工约4262人。滨松集团已完成对NKT Photonics的收购,以增强其激光器业务。在中国市场,其全资子公司滨松光子学商贸(中国)有限公司**负责销售与技术支持。

滨松Hamamatsu的 S11142-10 是一款专为真空环境下低能电子束位置检测而设计的 4 分割雪崩硅光电二极管阵列12。它是 S11141-10 的“四象限版”,核心区别在于将感光面分为 4 个独立区域,通过比较各区域的信号强度,可以**计算出电子束在二维平面上的位置偏移,是扫描电镜(SEM)等设备中实现电子束自动对准和稳定控制的关键传感器。

hamamatsu滨松硅光电二极管阵列S11142-10主要特点:

电子束位置检测:4 分割结构是其核心,通过 (A+C)-(B+D) 和 (A+B)-(C+D) 等差分算法,可**解算电子束在 X/Y 轴上的微小偏移,实现高精度自动对焦和像散校正。

低能电子束直接探测:无需闪烁体,可直接高灵敏度探测 1 keV 以上的低能电子束,简化了探测器结构,避免了闪烁体带来的光传输损耗和寿命问题。

内置雪崩增益:提供高达 300 倍的典型增益,显著提升了微弱二次电子或背散射电子信号的检测能力,信噪比优异。

中心通孔与低磁设计:中心 φ2.0 mm 通孔允许主电子束无阻碍穿过;低磁性基板确保在电镜物镜的强磁场中不会偏转或干扰电子束轨迹。

hamamatsu滨松硅光电二极管阵列S11142-10重要使用注意事项:

芯片裸露:S11142-10 是未密封(Unsealed)产品,其感光芯片和电极直接暴露在环境中,没有任何外壳或窗口保护。

操作需极度谨慎:在安装、焊接和使用过程中,必须严格防止静电(ESD)、机械刮擦、灰尘污染及化学溶剂接触,否则极易造成**性损坏。

必读文档:使用前,务必仔细阅读滨松官方提供的 《Precautions / Unsealed products》 文档,严格遵守其中的操作、存储和清洁规范。

hamamatsu滨松硅光电二极管阵列S11142-10典型应用场景:

扫描电子显微镜 (SEM):电子束自动对焦、像散校正、束斑位置实时监测与反馈控制。

电子束光刻/加工设备:真空腔体内的电子束**定位与稳定性控制。

科研真空设备:粒子束位置探测、低能电子能谱分析中的束流监测。

详细参数

受光面 14 × 14 mm
像元数 4
封装 陶瓷
封装类别 未密封
入射电子能范围(典型值) 1 至 30 keV
电子倍增系数(典型值) 300
反向电压(*大值) 20 V
暗电流(*大值) 60000 pA
截止频率(典型值) 5 MHz
结电容(典型值) 200 pF
测量条件 Ta = 25°C,VR = 5V

外形尺寸图(单位:mm)



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