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如果您对该产品感兴趣的话,可以 产品名称: hamamatsu滨松硅PIN光电二极管
产品型号: S3584-08
产品展商: hamamatsu滨松
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简单介绍

hamamatsu滨松S3584-08 是一款超大感光面积硅 PIN 光电二极管,专为与闪烁体(Scintillator)耦合进行高精度 X 射线及伽马射线探测而设计。它采用陶瓷封装,具备低电容、高速响应、高稳定性以及良好的能量分辨率,是大型 X 射线 CT、工业无损检测(NDT)及核医学仪器中的核心感光元件。

hamamatsu滨松硅PIN光电二极管

   的详细介绍

hamamatsu滨松硅PIN光电二极管S3584-08


滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics K.K.),1953 年成立于日本静冈县滨松市,前身 “滨松电视株式会社”,1983 年正式更名滨松光子;是全球**的光电器件、光子探测、光学测量设备专业厂商。全球员工:6600+;全球 22 处研发 / 生产基地,产品销往 100 + 国家。研发投入占营收约 8.7%,拥有15000 + 型号器件与整机系统。光电倍增管(PMT)全球市占率极高;多款器件助力诺贝尔物理实验(中微子、希格斯玻色子探测。

hamamatsu滨松S3584‑08 是超大方形大面积硅 PIN 光电二极管,陶瓷基板 + 环氧树脂窗口封装,非制冷。感光面 28×28 mm(784 mm²),为 S3204‑08 的升级更大尺寸版本;专门用于闪烁探测,光谱与 BGO、CsI (Tl) 闪烁晶体匹配;同系列S3584‑09 为无窗口裸芯片版本,用于和闪烁晶体直接灌注耦合。

hamamatsu滨松硅PIN光电二极管S3584-08核心特点:

1. 28×28 mm 超大方形感光面积,适配大尺寸方形闪烁晶体,能量分辨率优良;

2. PIN 结构,大芯片下结电容 300 pF,‑3dB 带宽 10 MHz(VR=70 V),脉冲高速探测;

3. 光谱 340‑1100 nm,**匹配 BGO、CsI (Tl) 闪烁体发光波段;

4. *大反向电压 100 V,支持高压反偏实现高速性能;

5. 环氧树脂窗口陶瓷封装,非气密;PIN 器件暗电流 nA 级,不适合 pA 级极微弱光测量。

hamamatsu滨松硅PIN光电二极管S3584-08典型应用场景:

- X 射线、γ 射线闪烁探测器,安检设备、无损检测,耦合大尺寸 BGO、CsI (Tl) 闪烁晶体

- TOF 时间计数器、粒子探测 hodoscope

- 大光斑高速光信号采集

- 高能辐射科研测量设备

hamamatsu滨松硅PIN光电二极管S3584-08使用注意:

1. PIN 器件,必须施加反向偏压(典型 70 V),才能达到 10 MHz 带宽;零偏模式带宽大幅下降;

2. 环氧树脂窗口,非气密,高湿、有机溶剂、长期强紫外照射会损伤器件,整机必须做防潮处理;

3. 区分型号:S3584‑08 带环氧树脂保护窗口成品;S3584‑09 裸芯片无窗口,用于晶体灌注耦合,必须洁净台防静电操作;

4. 装配不可磕碰划伤环氧树脂窗口;

5. 暗电流 nA 级,不适合 pA 级微弱光检测。

hamamatsu滨松硅PIN光电二极管S3584-08详细参数

受光面 28 × 28 mm
封装 陶瓷
封装类别 --
制冷 非冷却型
反向电压(*大值) 100 V
光谱响应范围 340 至 1100 nm
*大灵敏度波长(典型值) 960 nm
感光灵敏度(典型值) 0.66 A/W
暗电流(*大值) 30000 pA
截止频率(典型值) 10 MHz
结电容(典型值) 300 pF
噪声等效功率(典型值) 8.6×10-14 W/Hz1/2
测量条件 Ta = 25°C,典型值,感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR = 70 V,截止频率:VR = 70 V,结电容:VR = 70 V,f = 1 MHz,噪声等效功率:VR = 70 V,除非另有说明

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)



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