hamamatsu滨松硅微条探测器S13804
hamamatsu滨松S13804 属于单面交流读出型硅微条粒子探测器，专为日本 J‑PARARC μ 子 g‑2/EDM 高能物理实验定制开发；大面积方形有源探测区，多晶硅偏压交流信号读出方案，主要用于高能带电粒子入射位置高精度测量，不属于可见光光电二极管阵列。
hamamatsu滨松硅微条探测器S13804适用于高能粒子位置检测的单面 SSD，硅微条探测器 (SSD) 是一种硅光电二极管，其 PN 结（粒子检测结构）的宽度为数微米至数十微米，以条状形式排列。它是一种专为 J-PARC muon g-2/EDM 实验* 开发的 SSD，能够高精度检测高能粒子的入射位置。其感光面约为 97 × 97 mm，可检测较宽区域的位置。
hamamatsu滨松硅微条探测器S13804核心功能与特点：
高精度位置探测：其感光面由数百条宽度仅为数十微米的平行 PN 结微条组成。当带电粒子穿过时，只有被击中的微条及其邻近微条会产生信号，通过电荷重心法可计算出远小于微条间距的粒子位置，实现微米级的空间分辨率。
大面积有效探测：感光面尺寸约为 97 × 97 mm，能够覆盖较宽的粒子束流区域，满足大型实验对探测范围的需求。
高辐射耐受性：专为高能粒子环境设计，具备出色的抗辐射能力，能够在强辐射场下长期稳定工作，性能不易退化。
低暗电流与高电压容差：具有极低的暗电流（*大值 3 μA）和较高的击穿电压（*小值 200 V），确保了在高偏压下工作的低噪声和高信噪比。
交流耦合读出：采用多晶硅偏压交流读出结构，信号通过耦合电容引出，使直流偏置与交流信号分离，简化了前端电子学设计并提高了系统稳定性。
hamamatsu滨松硅微条探测器S13804工作原理：
1. 高能带电粒子穿过硅灵敏层，电离产生大量电子‑空穴对；
2. 施加反向高压让硅片达到全耗尽状态；
3. 电离电荷漂移至条状 PN 结电极；
4. 各个读出微条采集电荷信号；
5. 后端电荷灵敏放大电子学读出每一条信号；
6. 根据触发的微条编号反推粒子**入射坐标位置。
hamamatsu滨松硅微条探测器S13804适用场景：
‑ 高能加速器物理实验、μ 子粒子探测（原始开发用途）
‑ 带电粒子径迹探测、粒子位置测量
‑ 辐射成像、重离子束流位置监测
‑ 核物理、粒子物理科研实验
hamamatsu滨松硅微条探测器S13804使用注意事项：
1. 需要施加*高100V 反向偏置电压实现全耗尽，才能达到*佳位置分辨性能；
2. 交流读出，后端电子学必须选用 AC 耦合电荷灵敏放大器；
3. 器件抗辐射，但长期强辐照环境下暗电流会缓慢上升，需要定期标定；
4. 裸硅芯片极其脆弱，装配必须在超净环境，严防划伤、污染；
5. 静电敏感器件，全程防静电操作。
外形尺寸图（单位：mm）