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hamamatsu滨松InGaAs PIN光电二极管阵列[产品打印页面]

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如果您对该产品感兴趣的话,可以 产品名称: hamamatsu滨松InGaAs PIN光电二极管阵列
产品型号: G8909-01
产品展商: hamamatsu滨松
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简单介绍

hamamatsu滨松G8909‑01 为一维 40 通道超高速并行读出 InGaAs‑PIN 阵列探测器,非制冷室温工作、陶瓷表面贴装封装,专为 DWDM 波分复用光通道监控开发;40 个圆形感光像元直线排布、通道独立输出光电流,属于通信级超高带宽多通道探测器件。

hamamatsu滨松InGaAs PIN光电二极管阵列

   的详细介绍

hamamatsu滨松InGaAs PIN光电二极管阵列G8909-01


Hamamatsu滨松G8909-01 是一款 40通道线性 InGaAs PIN 光电二极管阵列,专为 DWDM(密集波分复用)监视器应用而设计。G8909-01 的通道数更多、像元间距更精密,是构建高分辨率、多通道光通信波长监测系统的核心感光元件。

hamamatsu滨松InGaAs PIN光电二极管阵列G8909-01核心功能与特点:

40通道高密度阵列:在单一封装内集成了 40个 独立的光电二极管,可一次性并行读出40个波长通道的光功率,无需机械扫描,是实现高速DWDM系统监控的关键。

精密像元间距:像元中心间距(Pitch)为 250 µm,芯片位置公差控制在 ±0.05 mm 以内,确保了与AWG(阵列波导光栅)等色散元件的**对准,保证了通道间的一致性。

低串扰设计:优化的芯片结构和封装工艺,有效降低了相邻通道间的光学和电学串扰,保证了多通道测量的准确性。

近红外波段响应:基于 InGaAs 材料,光谱响应范围覆盖 0.9 至 1.7 µm,峰值灵敏度在 1.55 µm,**覆盖C波段和L波段光通信窗口。

高可靠性封装:采用 陶瓷封装,非冷却型,具有优异的热稳定性和长期可靠性,适合集成到各类精密光通信模块中。

hamamatsu滨松InGaAs PIN光电二极管阵列G8909-01使用关键注意事项:

多通道并行读出:G8909-01 会输出 40路 独立的电流信号。你需要设计或选用 40通道跨阻放大器(TIA) 和相应的 多通道ADC 或 模拟多路复用器 来进行高速、同步的信号采集。

精密光学对准:250 µm 的像元间距对光学系统的对准精度要求极高。必须确保入射光斑**地落在每个像元的中心,并与AWG的焦点**匹配,否则会导致通道间串扰和功率测量误差。

像元一致性校准:与所有阵列探测器一样,各像元的响应度和暗电流存在微小差异。在高精度DWDM监控应用中,必须进行暗场校准和平场校正,以补偿通道间的不一致性。

高速性能:1000 MHz 的截止频率和仅 1.4 pF 的极低结电容,使其具备出色的动态响应能力,非常适合高速光功率监测和瞬态信号捕捉。

ESD防护:InGaAs 器件对静电敏感,操作、焊接和系统集成时务必做好防静电措施。

hamamatsu滨松InGaAs PIN光电二极管阵列G8909-01典型应用场景:

DWDM 系统监控:作为核心探测器,与AWG配合,实时监测C/L波段内40个(或更多)波长通道的光功率,用于光放大器增益均衡、通道故障定位和系统性能诊断。

多通道光谱分析:用于高分辨率、高速的近红外光谱仪,实现材料分析、气体检测等。

激光器阵列测试:用于并行测试VCSEL或DFB激光器阵列的输出功率和波长一致性。

光通信器件测试:用于测试AWG、WDM耦合器、光开关等器件的通道隔离度、插入损耗和波长响应。

详细参数

像元数 40
封装 陶瓷
封装类别 表面贴装型
制冷 非冷却型
灵敏度波长范围 0.9 μm 至 1.7 μm
*大灵敏度波长(典型值) 1.55 μm
感光灵敏度(典型值) 0.95 A/W
暗电流(*大值) 0.2 nA
截止频率(典型值) 1000 MHz
结电容(典型值) 1.4 pF
测量条件 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)



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