hamamatsu滨松MiNY® PL Micro LED PL 检查系统C15740-01
hamamatsu滨松MiNY®‑PL C15740‑01 是滨松Micro‑LED 晶圆级高速、非破坏性光致发光（PL）全自动检测整机。区别传统 EL（电致发光）通电点亮检测；它使用光激发，无需给芯片电极通电，就可一次性完成整片晶圆数百万颗 Micro‑LED 芯片全数检测，解决 Micro‑LED 巨量芯片检测耗时长的痛点，面向 Micro‑LED 显示器研发与量产制程管控。
工作原理（PL 光致发光成像技术）：
外部激发光源照射晶圆上 Micro‑LED 外延芯片；半导体芯片受光激发产**光；滨松独有的 LRG 二向色分光成像模块 + 面阵相机，二维成像一次性同时采集每一颗芯片的外观形貌、发光强度、发射波长三维数据，无需单点光谱扫描，生成晶圆全域波长分布图（Mapping），自动判定良品 / **品（NG）。
三大检测维度：
MiNY® PL 从三个维度对 Micro LED 芯片进行综合检测和分类：
外观（Appearance）：检测形状异常、划痕、灰尘、漏晶等表面缺陷
PL 发光强度（PL Intensity）：检测由于电压异常、漏电等因素导致的发光异常
PL 波长（PL Wavelength）：检测由于制造工艺异常等因素导致的波长偏移，精度达 ±0.5 nm
系统可将测量结果按这三个轴进行分类，通过预设阈值自动判定"良品"和"**品"（NG），实现高速自动化筛选。
hamamatsu滨松MiNY® PL Micro LED PL 检查系统C15740-01特点：
检测 AOI 无法发现的缺陷：晶体内部的裂纹、LED 芯片内部缺陷等无法通过外观检查发现，PL 测量可从发光特性层面高灵敏度地检测这些内部缺陷
100% 全检：与电致发光（EL）检查不同，PL 测量无需对每个芯片施加电信号，可实现晶圆上所有芯片的 100% 检查
前段工艺检查：可在制造流程的前端进行检查，尽早发现**品，提高后续工艺的产率
高精度波长检测：将发光波长转换为映射图像，以 ±0.5 nm 的高精度检测波长偏差。Micro LED 的发光波长即使有 2 nm 的微小偏差，人眼也能识别为色不均匀，因此高精度波长检测对保证显示均匀性至关重要
高速面测量：采用独特的二维成像技术，无需逐点光谱测量，可一次性获取晶圆面内发光波长，检测速度远快于传统光谱仪方式
RGB 三色对应：支持 R、G、B 三种颜色的 Micro LED 芯片检测，可分别设置各颜色的测量条件
非接触、非破坏性：PL 测量通过光激发方式评估 LED 特性，不会对芯片造成任何损伤
洁净室兼容：支持在洁净室环境中使用
软件功能：
MiNY® PL 配备专用分析软件，具备以下功能：
图像获取与显示：获取并显示外观图像和 PL 图像
多芯片设计对应：支持各种芯片设计方案的解析
RGB 分别设定：可针对 R、G、B 分别设置测量条件
良否判定引导功能：通过预设阈值自动进行良品/**品判定
多维度分类：将测量结果按波长、PL 强度、外观三个轴进行分类和筛选
可选配模块：
MiNY® PL 可选配以下分析模块，进一步扩展分析能力：
PMA（多光子通道分析仪）：进行发光光谱的计测分析
TRPL（荧光寿命分析仪）：进行荧光寿命分析，帮助深入分析**发生的原因
hamamatsu滨松MiNY® PL Micro LED PL 检查系统C15740-01主要应用领域：
Micro LED 晶圆检测：对 Micro LED 晶圆上的大量芯片进行 100% 全检
Micro LED 显示制造：在制造前段工艺中筛选**芯片，提高产率
RGB LED 芯片筛选：分别检测 R、G、B 三色 LED 芯片的发光特性
发光均匀性评估：通过高精度波长检测，评估晶圆内发光波长的均匀性
工艺缺陷分析：结合 PMA 和 TRPL 模块，深入分析**芯片的缺陷原因
hamamatsu滨松MiNY® PL Micro LED PL 检查系统C15740-01详细参数
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型号名称
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C15740-01
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支持的晶圆尺寸
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100 mm（4 英寸）或 150 mm（6 英寸） （其他尺寸可协商提供）
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测量时间
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约 12 分钟
（10 倍物镜，PL 测量，4 英寸晶圆）
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PL 测量波长
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R、G、B
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空间分辨率
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1 μm/像素（标准模式），0.5 μm/像素（高分辨率模式）
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测量项目
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形状异常、PL 强度、PL 波长
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外部尺寸/重量
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2000 mm (W) × 1878 mm (H) × 1130 mm (D) / 约 1800 kg
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洁净室
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兼容
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